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SiC襯底由美、德廠商主導,國內廠商加速擴產帶動單晶爐需求提升

發布時間:2024-01-25  來源:立鼎產業研究網  點擊量: 239 

SiC襯底市場以美國等傳統半導體強國為主,國內廠商紛紛擴產。全球SiC襯底市場高度集中,美國科銳公司、美國Ⅱ-Ⅵ和德國SiCrystal三家全球合計市占率近90%,國內SiC襯底廠商產出規模占全球市場份額不足10%,主要企業包括三安光電、天岳先進等。隨國內下游行業快速發展,市場規模持續擴大,國內SiC襯底材料廠商已逐步實現產業化發展,至2027年,國內SiC襯底預計可較現有產能實現數倍的新增產能增長。

2021年全球SiC襯底競爭格局


資料來源:Yole

國內主要SiC材料廠商擴產情況


資料來源:晶升股份發行人及保薦機構第三輪問詢回復意見

注:上述主要廠商產能預計在 2027 年前全部達產,建設周期約2-5 年,比亞迪股份有限公司為根據設備需求數量測算產能得出

國內SiC襯底現有產能約25.8~40萬片/年,預計2-5年產能增量為469.6~537.1萬片/年。以單臺設備產量水平(375~500 /年)測算,國內 SiC 單晶爐市場可新增約 9392~14323臺,結合公司產品銷售價格,假設 SiC 單晶爐單價為 60 ~110 萬元(含稅),可測算出國內 SiC 單晶爐至 2027 年市場新增空間約 56.35~157.55 億元,規??捎^。

國內 SiC 襯底擴產對應需要長晶設備市場規模測算


資料來源:晶升股份發行人及保薦機構第三輪問詢回復意見

此外,從4英寸到6、8英寸,國內企業與國外研發代差逐步縮短,8英寸SiC襯底蘊含著國內廠商實現彎道超車的機遇。根據科友半導體,國際量產4英寸SiC襯底比國內早10年以上,6英寸比國內早約7年,8英寸可能不超過3年。2022年起,國內企業相繼發布8英寸襯底;2023年,三安光電完成8英寸SiC襯底小批量試制,乾晶半導體也成功長出8英寸NSiC單晶錠。根據集邦咨詢援引Wolfspeed數據,從6英寸到8英寸,襯底加工成本增加但合格芯片產量增加80%-90%;同時8英寸襯底厚度增加有助于加工時保持幾何形狀、減少邊緣翹曲度、降低缺陷密度,從而提升良率,因此采用8英寸襯底可將單位綜合成本降低50%,6英寸向8英寸擴徑的行業趨勢明確:目前8英寸市占率不到2%,預計2026年增至約15%,2023-2024年將是8英寸SiC元年。

國內已發布 8 英寸 SiC 襯底的企業


資料來源:wind,集邦咨詢


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